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Ultra Low Power Ionizing Dose Sensor Based on Complementary Fully Depleted MOS Transistors for Radiotherapy Application

Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina

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Bibliographic Details
Main Authors:	Alcalde Bessia, F., Flandre, D., André, N., Irazoqui, J., Pérez, M., Gómez Berisso, M., Lipovetzky, J.
Other Authors:	Gerencia Física. Departamento Materia Condensada. División Bajas Temperaturas
Language:	English
Published:	IEEE 2019
Subjects:	RADIACIONES IONIZANTES DETECTORES DE RADIACIONES RADIOTERAPIA Ionizing radiation sensors Silicon on insulator (SOI) Silicon radiation detectors
Online Access:	https://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/5481
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Summary:	Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina