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Fully-Depleted SOI MOSFET Sensors in Accumulation Mode for Total Dose Measurement

Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina

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Bibliographic Details
Main Authors:	Alcalde Bessia, F., Flandre, D., André, N., Irazoqui, J., Pérez, M., Gómez Berisso, M., Lipovetzky, J.
Other Authors:	Gerencia Física. Departamento Materia Condensada. División Bajas Temperaturas
Language:	English
Published:	IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 2018
Subjects:	TRANSISTORES EFECTOS DE LAS RADIACIONES ACELERADORES LINEALES Radiation dosimeter SOI Transistors Sensitivity Logic gates Radiation effects Threshold voltage Voltage measurement Annealing
Online Access:	https://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/5469
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Description
Summary:	Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina