Interacción de defectos puntuales con superficies libres.

Se utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos...

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Bibliographic Details

Main Author:	Pascuet, Maria Ines
Corporate Authors:	Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, Universidad Nacional de San Martín
Format:	Thesis Electronic eBook
Language:	Spanish
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