Interacción de defectos puntuales con superficies libres.

Se utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Pascuet, Maria Ines
Corporate Authors: Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, Universidad Nacional de San Martín
Format: Thesis Electronic eBook
Language:Spanish
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!