Interacción de defectos puntuales con superficies libres.
Se utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos...
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| Corporate Authors: | , |
| Format: | Thesis Electronic eBook |
| Language: | Spanish |
| Online Access: | View in OPAC |
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MARC
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| 100 | 1 | |a Pascuet, Maria Ines |9 1605 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Interacción de defectos puntuales con superficies libres. |
| 300 | |a 129 p. | ||
| 502 | |a Tesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales, 2003. Director: Dra. Monti Ana Maria; Dr. Pasianot Roberto C. CNEA. Departamento Materiales, Centro Atómico Constituyentes. | ||
| 520 | |a Se utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos puntuales así como las respectivas frecuencias de intento se calcularon para evaluar los factores de correlación y los coeficientes de difusión en la aproximación del camino aleatorio, resultando la difusión en superficie mayor que en volumen. También con la misma técnica se estudió la estructura y energética de escalones en las superficies con las orientaciones mencionadas y se analizó la formación de muescas causadas por vacancias o adátomos. Además se estudió su interacción con el escalón, analizando en qué casos es un cortocircuito para la difusión; resultando que sólo unos pocos de los escalones estudiados podrían comportarse de tal modo, mientras que la mayoría serían más bien trampas (sumideros). Para finalizar, mediante la técnica de dinámica molecular y los mismos potenciales se estudió la estabilidad de las superficies para distintas temperaturas encontrándose nuevos saltos para los defectos puntuales con respecto a los propuestos estáticamente. | ||
| 710 | 1 | |9 1034 |a Comisión Nacional de Energía Atómica. |b Instituto de Tecnología Sabato. | |
| 710 | 2 | |9 1033 |a Universidad Nacional de San Martín | |
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