Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices

Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina

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Main Authors: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio, García Inza, Mariano Andrés, Carbonetto, Sebastián Horacio, Lipovetzky, José, Redin, Eduardo Gabriel, Faigon, Adrián Néstor
Published: Pergamon-Elsevier Science Ltd 2022
Online Access:https://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/8078
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_version_ 1866906936707907584
author Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
author_browse Carbonetto, Sebastián Horacio
Faigon, Adrián Néstor
García Inza, Mariano Andrés
Lipovetzky, José
Redin, Eduardo Gabriel
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
author_facet Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
author_sort Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
collection DSpace
description Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
id dspace-20.500.12553-8078
institution Repositorio Institucional NUCLEA
publishDate 2022
publishDateSort 2022
publisher Pergamon-Elsevier Science Ltd
publisherStr Pergamon-Elsevier Science Ltd
record_format dspace
spelling dspace-20.500.12553-80782025-12-13T05:32:40Z Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices Sambuco Salomone, Lucas Ignacio García Inza, Mariano Andrés Carbonetto, Sebastián Horacio Lipovetzky, José Redin, Eduardo Gabriel Faigon, Adrián Néstor Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires; Argentina Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina Pergamon-Elsevier Science Ltd 2022-04 info:eu-repo/semantics/openAccess application/pdf https://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/8078 1350-4487
spellingShingle Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title_full Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title_fullStr Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title_full_unstemmed Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title_short Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
title_sort numerical modeling of radiation induced charge neutralization in mos devices
url https://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/8078
work_keys_str_mv AT sambucosalomonelucasignacio numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices
AT garciainzamarianoandres numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices
AT carbonettosebastianhoracio numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices
AT lipovetzkyjose numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices
AT redineduardogabriel numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices
AT faigonadriannestor numericalmodelingofradiationinducedchargeneutralizationinmosdevices