Simulación por dinámica molecular de defectos en la superficie Si(001): comparación con experimentos STM.

Las superficies e interfaces de materiales semiconductores juegan un papel muy importante en la tecnología microelectrónica. En particular, la superficie de silicio (001) motiva por sus aplicaciones un gran interés. La producción de cristales de Si de alta calidad es un desafío tecnológico que invol...

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Main Author: Bea, Edgard A.
Corporate Authors: Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, Universidad Nacional de San Martín
Format: Thesis Electronic
Published: 2003.
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