Simulación por dinámica molecular de defectos en la superficie Si(001): comparación con experimentos STM.
Las superficies e interfaces de materiales semiconductores juegan un papel muy importante en la tecnología microelectrónica. En particular, la superficie de silicio (001) motiva por sus aplicaciones un gran interés. La producción de cristales de Si de alta calidad es un desafío tecnológico que invol...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Corporate Authors: | , |
| Format: | Thesis Electronic |
| Published: |
2003.
|
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
3rd Floor Main Library
| Call Number: |
A1234.567 |
|---|---|
| Copy 1 | Available |