Mejora de la adherencia de recubrimientos duros sobre aceros en base a metodos de pretratamiento del substrato por procesos de plasma.
El presente trabajo tiene por objeto contribuir al mejor conocimiento de los metodos de mejora de adherencia basados en nitruracion previa del substrato y en la deposicion de una intercapa de titanio entre el substrato y el recubrimiento, para el caso de recubrimientos de TiN producidos por plasma C...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Corporate Authors: | , |
| Format: | Thesis Electronic |
| Published: |
1998.
|
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
MARC
| LEADER | 00000mm aa2200000a 44500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | AR-SmCIES | ||
| 008 | 980824s1998 ag fq d # spa#d | ||
| 040 | |a AR-SmCIES | ||
| 100 | 1 | |a Perillo, Patricia Maria | |
| 245 | 1 | 0 | |a Mejora de la adherencia de recubrimientos duros sobre aceros en base a metodos de pretratamiento del substrato por procesos de plasma. |
| 260 | |c 1998. | ||
| 300 | |c 94 p. | ||
| 500 | |a Cantidad de ejemplares: 1 | ||
| 502 | |a Tesis para optar al título de Magister en Ciencia y Tecnologia de Materiales. Director: Rodrigo, Adolfo | ||
| 520 | |a El presente trabajo tiene por objeto contribuir al mejor conocimiento de los metodos de mejora de adherencia basados en nitruracion previa del substrato y en la deposicion de una intercapa de titanio entre el substrato y el recubrimiento, para el caso de recubrimientos de TiN producidos por plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). A tal efecto se utilizo un reactor de plasma CVD para producir tanto los recubrimientos de TiN como los correspondientes pretratamientos del substrato. Las experiencias se realizaron utilizando substratos planos de acero rapido simil AISI M2. En el caso del proceso duplex, se analizo en detalle el efecto de la duracion del proceso de nitruracion sobre la adherencia del recubrimiento. En el caso de la deposicion de una intercapa de titanio, se estudio el efecto del espesor de la intercapa sobre la adherencia del recubrimiento de TiN. En ambos casos, se analizaron los mecanismos responsables de la mejora de la adherencia y las condiciones optimas para aplicacion de los metodos etudiados. | ||
| 590 | |a Lugar de trabajo: Centro Atomico Constituyentes | ||
| 710 | 1 | |a Comisión Nacional de Energía Atómica. |b Instituto de Tecnología Sabato. | |
| 710 | 1 | |a Universidad Nacional de San Martín. | |
| 999 | |c 26820 |d 26820 | ||
| 952 | |0 0 |1 0 |2 ddc |4 0 |7 0 |a CIES-CAC |b CIES-CAC |d 2018-10-02 |i IT/T--30/98 |o IT/T--30/98 |p IT/T--30/98 |r 2018-10-02 00:00:00 |w 2018-10-02 |y TS | ||