Micro y nanoestructuración de films de MnAs, caracterización de los films y sus estructuras. - Vázquez, Damián René (Instituto Sabato, 2009)
Los materiales ferromagnéticos integrados a semiconductores están siendo intensamente estudiados debido a sus potenciales aplicaciones en electrónica de espín. El MnAs crecido epitaxialmente sobre el sustrato semiconductor GaAs cumple con la propiedad de ser ferromagnético a temperatura ambiente, pero además, en la interfase MnAs/GaAs hay unión química sin haber otras fases o productos de reacciones químicas entre estos compuestos. Esto significa que el MnAs es integrable al GaAs y que en una juntura MnAs/GaAs no hay formación de fases que alteren en el tiempo las propiedades magnéticas de transporte y por consiguiente, la funcionalidad de un dispositivo. Sin embargo, al momento de pensar en aplicaciones computacionales se plantea el desafío de reducir los tama¤os de los dispositivos, para lo cual es imprescindible adecuar procesos de micro y nanofabricación. Una vez confinado el material es necesario examinar cómo la reducción de tama¤os e interfases afectan sus propiedades físicas. Este trabajo está focalizado en la optimización del proceso de micro y nanoestructuración de films de MnAs. Esto se llevó a cabo combinando litografía óptica y litografía electrónica con grabado iónico. También se realizaron caracterizaciones topográficas, magnéticas y estructurales del material. Las caracterizaciones topográficas se realizaron mediante microscopía de fuerza atómica (AFM). Las caracterizaciones magnéticas se realizaron mediante microscopía de fuerza magnética (MFM) y mediante mediciones magnetométricas con un magnetómetro de muestra vibrante (VSM) y un magnetómetro SQUID. Los resultados de MFM y de las mediciones con el VSM, además de servir para la caracterización magnética, contribuyeron al análisis de la configuración de dominios magnéticos en los films, mientras que los resultados obtenidos con el magnetómetro SQUID sirvieron para caracterizar arreglos micrométricos. La caracterización estructural se realizó mediante difracción de rayos X. Los resultados fueron también comparados con los existentes en la literatura.